Understanding of Strain Effects on High-Field Carrier Velocity in (100) and (110) CMOSFETs under Quasi-Ballistic Transport

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Understanding of Strain Effects on High-Field Carrier Velocity in (100) and (110) CMOSFETs under Quasi-Ballistic Transport

著者

和文:	M. Saitoh, N. Yasutake, Y. Nakabayashi, 内田建, T. Numata.
英文:	M. Saitoh, N. Yasutake, Y. Nakabayashi, K. Uchida, T. Numata.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 469-472

出版年月

2009年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Technical Digest of International Electron Device Meeting (IEDM)

開催地

和文:
英文:	Baltimore, MD, USA