Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Structural advantages of rectangular-like channel cross-section on electrical characteristics of silicon nanowire field-effect transistors

著者

和文:	佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 大毛利健二, 名取研二, 山田啓作, 岩井洋.
英文:	Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, Kenji Ohmori, KENJI NATORI, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 51 pp. 879-884

出版年月

2011年5月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI