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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Effect of thin Si insertion at metal gate/high-k interface on electrical characteristics of MOS device with La2 O3 
著者
和文: 来山大祐, 小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: 来山大祐, Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Microelectronic Engineering 
巻, 号, ページ Vol. 88    No. 7    pp. 1330-1333
出版年月 2011年7月 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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英文: 
DOI https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.026

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