InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InP/InGaAs Composite MOSFETs with Regrown Source and Al2O3 gate dielectric Exhibiting Maximum Drain Current Exceeding 1.3 mA/μm

著者

和文:	寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸.
英文:	R. Terao, T. Kanazawa, S. Ikeda, Y. Yonai, A. Kato, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Phys. Exp.

巻, 号, ページ

vol. 4 no. 5 054201

出版年月

2011年4月12日

出版者

和文:
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: