Diffusion-Limited a-IGZO/Pt Schottky Junction Fabricated at 200oC on a Flexible Substrate

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Diffusion-Limited a-IGZO/Pt Schottky Junction Fabricated at 200oC on a Flexible Substrate

著者

和文:	李棟煕, 野村研二, 神谷利夫, 細野秀雄.
英文:	D.H. Lee, K. Nomura, T. Kamiya, H. Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Electron Device Letters

巻, 号, ページ

Vol. 32 pp. 1695-1697

出版年月

2011年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI