Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-Type Doped SiC Source/Drain Regions

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Suppression of Hole Current in Graphene Transistors with n-Type Doped SiC Source/Drain Regions

著者

和文:	永久雄一, 徳光永輔.
英文:	Yuichi Nagahisa, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 112

出版年月

2011年9月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ICSCRM 2011）

開催地

和文:
英文:	Clevelend, Ohio