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タイトル
和文:H(CH3)2Alを用いたMOCVD法SiC基板上へのAl2O3膜の形成とAl2O3/SiC MOSFETの電気的特性評価 
英文: 
著者
和文: 木田憲之助, 日野史郎, 三浦 成久, 今泉昌之, 岸谷博昭, 徳光永輔.  
英文: Kennosuke Kida, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, 岸谷博昭, EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
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巻, 号, ページ        
出版年月 2011年8月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第７２回応用物理学会学術講演会 
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開催地
和文: 
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