Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor Made Using Amorphous In-Ga-Zn-O Channel and Bottom Pt Schottky Contact Structure at 200°C

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor Made Using Amorphous In-Ga-Zn-O Channel and Bottom Pt Schottky Contact Structure at 200°C

著者

和文:	李棟煕, 野村研二, 神谷利夫, 細野秀雄.
英文:	Dong Hee Lee, Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	ECS Solid State Letters

巻, 号, ページ

Vol. 1 pp. Q8-Q10

出版年月

2012年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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英文:

DOI