Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Reduction of access resistance of InP/InGaAs composite-channel MOSFET with back source electrode

著者

和文:	加藤淳, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 宮本恭幸.
英文:	Atsushi Kato, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, Yasuyuki Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Trans. Electron.

巻, 号, ページ

vol. E95-C no. 5 pp. 904-919

出版年月

2012年5月1日

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI