電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性
英文:

著者

和文:	池田俊介, 金澤徹, 宮本恭幸.
英文:	Shunsuke Ikeda, Toru Kanazawa, YASUYUKI MIYAMOTO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年9月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	電子情報通信学会2011年ソサイエティ大会
英文:

開催地

和文:
英文:

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