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論文・著書情報


タイトル
和文:エヒ?タキシャル成長ソースによる InGaAs MOSFET の高電流密度化 
英文: 
著者
和文: 宮本 恭幸, 米内義晴, 金澤徹.  
英文: YASUYUKI MIYAMOTO, Yosiharu Yonai, Toru Kanazawa.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2012年3月8日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:電気学会電子デバイス研究会 
英文: 
開催地
和文:熱海 
英文: 

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