Ultra-thin GaxIn1-xAs/InP (0&lt;x&lt;0.47) layer growth by chemical beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Ultra-thin GaxIn1-xAs/InP (0<x<0.47) layer growth by chemical beam epitaxy

著者

和文:	N. Yokouchi, T. Uchida, 宮本智之, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	N. Yokouchi, T. Uchida, T. Miyamoto, F. Koyama, K. Iga.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

1991年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	3rd Int. Conf. on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'91

開催地

和文:
英文:	Cardiff, Wales