Properties of CeOx/La2O3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Properties of CeOx/La2O3 gate dielectric and its effects on the MOS transistor characteristics

著者

和文:	H Wong, B.L. Yang, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 岩井洋.
英文:	H Wong, B.L. Yang, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Vacuum

巻, 号, ページ

Vol. 86 No. 7 pp. 990-993

出版年月

2012年2月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI