Improving the electrical characteristics of MOS transistors with CeO2/ La2O3 stacked gate dielectric

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Improving the electrical characteristics of MOS transistors with CeO2/ La2O3 stacked gate dielectric

著者

和文:	B.L. Yang, H Wong, 角嶋邦之, 岩井洋.
英文:	B.L. Yang, H Wong, Kuniyuki KAKUSHIMA, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Realiability

巻, 号, ページ

Vol. 52 pp. 1613-1616

出版年月

2012年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: