Analysis and modeling of the gate leakage current in advanced nMOSFET devices with severe gate–to-drain dielectric breakdown

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis and modeling of the gate leakage current in advanced nMOSFET devices with severe gate–to-drain dielectric breakdown

著者

和文:	Miranda Enrique, 川那子高暢, 角嶋邦之, J. Sune, 岩井洋.
英文:	Miranda Enrique, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, J. Sune, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Microelectronics Reliability

巻, 号, ページ

Vol. 52 pp. 1909-1912

出版年月

2012年

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI