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論文・著書情報


タイトル
和文:熱酸化によるβ-Ga2O3単結晶表面の半絶縁層形成 
英文: 
著者
和文: 大島 孝仁, 神永 健一, 向井 章, 佐々木 公平, 増井 建和, 倉又 朗人, 山腰 茂伸, 藤田 静雄, 大友 明.  
英文: T. OSHIMA, K.Kaminaga, A. Mukai, K. Sasaki, T. Masui, A. Kuramata, S. Yamakoshi, S. Fujita, A. Ohtomo.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2013年3月28日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第60回応用物理学会春季学術講演会 
英文:The 60th JSAP Spring Meeting, 2013 
開催地
和文:神奈川県厚木市 
英文:Atsugi, Kanagawa 
公式リンク https://confit.atlas.jp/guide/event/jsap2013s/top
 
アブストラクト β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）は，酸化物半導体最大のバンドギャップ（4.7 ~ 5.0 eV） を有し，融液法による単結晶の高品質化，大口径化，導電性制御が飛躍的に進展し，薄膜成長， デバイスプロセス技術の開発と共に，研究が加速している半導体材料である[1,2]．我々は，この 導電性単結晶に対して簡便処理である熱酸化により，表面近傍が半絶縁化することを見出した[3]． これを利用すれば，基板の絶縁化，素子のパッシベーション，受光素子の受光層形成などに応用 できると考えている．今回半絶縁層形成のメカニズムを明らかにしたので報告する．[1] M. Higashiwaki, et., al., APL 100 (2012) 013504. [2] K. Sasaki, et. al., APEX 5 (2012) 035502. [3] T. Oshima, et. al., APEX 1 (2008) 011202.

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