Fabrication of MOS structure gate-defined Si/SiGe quantum dot device

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of MOS structure gate-defined Si/SiGe quantum dot device

著者

和文:	神岡純, 小寺哲夫, Toshiaki Obata, Kenta Takeda, Waseem. M. Akhtar, Seigo Tarucha, 小田俊理.
英文:	Jun Kamioka, Tetsuo Kodera, Toshiaki Obata, Kenta Takeda, Waseem. M. Akhtar, Seigo Tarucha, Shunri Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

P-3

出版年月

2013年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE EDS WIMNACT-37

開催地

和文:
英文:	Tokyo