Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製 
英文: 
著者
和文: 神岡 純, 小寺哲夫, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 樽茶清悟, 小田俊理.  
英文: jun kamioka, Tetsuo Kodera, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 樽茶清悟, SHUNRI ODA.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2012年 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第73回応用物理学会学術講演会 
英文: 
開催地
和文:愛媛県松山市 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.