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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Experimental Observation of Record-high Electron Mobility of Greater than 1100 cm2V-1s-1 in Unstressed Si MOSFETs and Its Physical Mechanisms
著者
和文:
大橋 輝之
,
高橋 綱己
,
小寺 哲夫
,
小田 俊理
,
内田 建
.
英文:
T. Ohashi
,
T. Takahashi
,
T. Kodera
,
S. Oda
,
K. Uchida
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
出版年月
2012年9月25日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)
開催地
和文:
英文:
Kyoto
©2007
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