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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Experimental Observation of Record-high Electron Mobility of Greater than 1100 cm2V-1s-1 in Unstressed Si MOSFETs and Its Physical Mechanisms 
著者
和文: 大橋 輝之, 高橋 綱己, 小寺 哲夫, 小田 俊理, 内田 建.  
英文: T. Ohashi, T. Takahashi, T. Kodera, S. Oda, K. Uchida.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2012年9月25日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:2012 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2012) 
開催地
和文: 
英文:Kyoto 

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