Electric Properties and Interface Charge Trap Density of Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using (Bi,La)4Ti3O12/Pb(Zr,Ti)O3 Stacked Gate Insulator

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electric Properties and Interface Charge Trap Density of Ferroelectric Gate Thin Film Transistor Using (Bi,La)4Ti3O12/Pb(Zr,Ti)O3 Stacked Gate Insulator

著者

和文:	Pham Van Thanh, Bui Nguyen Quoc Trinh, 宮迫毅明, Phan Trong Tue, 徳光永輔, 下田達也.
英文:	Pham Van Thanh, Bui Nguyen Quoc Trinh, Takaaki Miyasako, Phan Trong Tue, Eisuke Tokumitsu, Tatsuya Shimoda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	JPN. J. APPL. PHYS.

巻, 号, ページ

Vol. 51 pp. 09LA09-1-5

出版年月

2012年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: