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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Use of low-temperature-deposited high-k gate insulators for SiC power MOSFETs 
著者
和文: 徳光永輔.  
英文: EISUKE TOKUMITSU.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2013年6月26日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:Collaborative Conference on 3D & Materials Research (CC3DMR) 2013 
開催地
和文: 
英文:Jeju 

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