Modeling of the output characteristics of advanced n-MOSFETs after a severe gate-to-channel dielectric breakdown

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Modeling of the output characteristics of advanced n-MOSFETs after a severe gate-to-channel dielectric breakdown

著者

和文:	Miranda Enrique, 川那子高暢, 角嶋邦之, J.Sune, 岩井洋.
英文:	Miranda Enrique, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, J.Sune, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	[Microelectronic Engineering

巻, 号, ページ

Vol. 109 pp. 322-325

出版年月

2013年9月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI