Analysis and Simulation of the Postbreakdown I-V Characteristics of n-MOS Transistors in the Linear Response Regime

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis and Simulation of the Postbreakdown I-V Characteristics of n-MOS Transistors in the Linear Response Regime

著者

和文:	Miranda Enrique, 川那子高暢, 角嶋邦之, J. Sune, 岩井洋.
英文:	Miranda Enrique, Takamasa Kawanago, Kuniyuki KAKUSHIMA, J. Sune, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS

巻, 号, ページ

Vol. 34 No. 6 pp. 798-800

出版年月

2013年6月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI