High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High Open-Circuit Voltage Gain in Vertical InGaAs Channel Metal–Insulator–Semiconductor Field-Effect Transistor Using Heavily Doped Drain Region and Narrow Channel Mesa

著者

和文:	柏野壮志, 平井準, 池田俊介, 藤松基彦, 宮本恭幸.
英文:	M. Kashiwano, J. Hirai, S. Ikeda, M. Fujimatsu, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	JPN. J. APPL. PHYS.

巻, 号, ページ

vol. 54 no. 4 issue 2

出版年月

2013年

出版者

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会議名称

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開催地

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