常圧CVD法によるGd添加CeO2電解質用薄膜の低温合成

三田健介

論文・著書情報

タイトル

和文:	常圧CVD法によるGd添加CeO2電解質用薄膜の低温合成
英文:

著者

和文:	三田健介.
英文:	Kensuke Mita.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年9月9日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	日本セラミックス協会第26回秋季シンポジウム
英文:

開催地

和文:	長野県長野市若里4-17-1
英文:	4-17-1 Wakasato, Nagano-shi, Nagano

アブストラクト

Gd 添加CeO2(GDC)は中温動作型の固体酸化物型燃料電池(IT-SOFC)の電解質用材料として近年盛んに研究されている。本研究では、真空装置が不要であり短時間で大面積の製膜が可能な常圧CVD 法を用いてGDC 薄膜電解質の低温合成を試みた。原料のGd(C5H4C2H5)、Ce(C5H4C2H5)をN2キャリアガスを用いて製膜チャンバー内に昇華供給し、N2 とO2 の混合ガスを酸化ガスとして、Si またはSrTiO3 基板上にGDC 薄膜を製膜した。作製した薄膜の組成、結晶性、微構造は、EDX、XRD、SEM にて評価した。さらに、面内及び膜厚方向の電気特性評価を行う。

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