Influence of Device Scaling on Low-frequency Noise in SOI Tri-gate Si Nanowire N-and PMOS FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Influence of Device Scaling on Low-frequency Noise in SOI Tri-gate Si Nanowire N-and PMOS FETs

著者

和文:	小山将央, M. Casse, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, 岩井洋, G. Reimbold.
英文:	小山将央, M. Casse, R. Coquand, S. Barraud, G. Ghibaudo, HIROSHI IWAI, G. Reimbold.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ESSDERC 2013

開催地

和文:
英文:	Bucharest