CBE法による1.3 μm GaInNAs量子井戸レーザの熱アニールによる特性改善

論文・著書情報

タイトル

和文:	CBE法による1.3 μm GaInNAs量子井戸レーザの熱アニールによる特性改善
英文:	Improvement of 1.3 μm GaInNAs/GaAs quantum well laser grown by chemical beam epitaxy by thermal annealing process

著者

和文:	牧野茂樹, 宮本智之, 影山健生, 池永賀彦, 荒井昌和, 小山二三夫, 伊賀健一.
英文:	Shigeki Makino, Tomoyuki Miyamoto, Takeo Kageyama, 池永賀彦, Masakazu Arai, FUMIO KOYAMA, Kenichi Iga.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2001年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第48回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 48th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	東京
英文:	Tokyo