Electrical and Memory Window Properties of Sr0.8-xBaxBi2.2Ta2-yZryO9 Ferroelectric Gate in Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electrical and Memory Window Properties of Sr_0.8-xBa_xBi_2.2Ta_2-yZr_yO₉ Ferroelectric Gate in Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor Structure

著者

和文:	MEHMET S, クロスジェフリースコット, 石原宏, 篠崎和夫.
英文:	M. S. Bozgeyik, J. S. Cross, H. Ishiwara, K. Shinozaki.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Electroceramics

巻, 号, ページ

Vol. 28 No. 2-3 pp. 158-164

出版年月

2012年3月11日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI