Unipolar behavior in grapheme-channel field-effect-transistors with n-type doped SiC source/drain regions

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Unipolar behavior in grapheme-channel field-effect-transistors with n-type doped SiC source/drain regions

著者

和文:	永久雄一, Yuichi Harada, 徳光永輔.
英文:	Yuichi Nagahisa, Yuichi Harada, Eisuke Tokumitsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 103 No. 22 pp. 223503-1-4

出版年月

2013年12月

出版者

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会議名称

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開催地

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