Fabrication of 120-nm-channel-length ferroelectric-gate thin-film transistor by nanoimprint lithography

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of 120-nm-channel-length ferroelectric-gate thin-film transistor by nanoimprint lithography

著者

和文:	Koji Nagahara, Bui Nguyen Quoc Trinh, 徳光永輔, Satoshi Inoue, 下田達也.
英文:	Koji Nagahara, Bui Nguyen Quoc Trinh, Eisuke Tokumitsu, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 53 pp. 02BC14-1

出版年月

2014年1月

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI