ICB法による CaF2/CoSi2/CaF2/Si(111) エピタキシャル成長

論文・著書情報

タイトル

和文:	ICB法による CaF₂/CoSi₂/CaF₂/Si(111) エピタキシャル成長
英文:	Epitaxial growth of CaF₂/CoSi₂/ CaF₂/ Si(111) by ICB technique

著者

和文:	渡辺正裕, 六車仁志, 村竹茂樹, 浅田雅洋, 荒井滋久.
英文:	M. Watanabe, H. Muguruma, S. Muratake, M. Asada, S. Arai.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

28a-T-11 1 275

出版年月

1990年9月28日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第51回応用物理学会学術講演会
英文:	Nat. Conv. Rec. of The Japan Soc. of Appl. Phys.

開催地

和文:	岩手県
英文:	Iwate