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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Electrical characteristics of AlGaN/GaN HEMT with La2O3 gate dielectricsn 
著者
和文: 陳江寧, 角嶋邦之, 片岡好則, 西山彰, 杉井信之, 若林整, 筒井一生, 名取研二, 岩井洋, 齋藤渉.  
英文: Jiangning Chen, Kuniyuki KAKUSHIMA, 片岡好則, 西山彰, Nobuyuki Sugii, Hitoshi Wakabayashi, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, HIROSHI IWAI, 齋藤渉.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2014年 
出版者
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英文: 
会議名称
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英文:The Workshop on Future Trend of Nanoelectronics:WIMNACT 39 
開催地
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