Assessment of Technological Device Parameters by Low-frequency Noise Investigation in SOI Omega-gate Nanowire NMOS FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Assessment of Technological Device Parameters by Low-frequency Noise Investigation in SOI Omega-gate Nanowire NMOS FETs

著者

和文:	小山将央, M. Casse, S. Barraud, G. Ghibaudo, 岩井洋, G. Reimbold.
英文:	小山将央, M. Casse, S. Barraud, G. Ghibaudo, HIROSHI IWAI, G. Reimbold.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	15th ULIS Conference, April 9, 2014, ,

開催地

和文:
英文:	Stockholm