Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with InP source for high current density

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Channel thickness dependence on InGaAs MOSFET with InP source for high current density

著者

和文:	大澤一斗, 加藤淳, 金澤徹, 上原英治, 宮本恭幸.
英文:	K. Ohsawa, A. Kato, T. Kanazawa, E. Uehara, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Electronics Express

巻, 号, ページ

vol. 11 No. 14 pp. 1-5

出版年月

2014年7月25日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: