Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Heavily doped epitaxially grown source in InGaAs MOSFET for high drain current density

著者

和文:	宮本恭幸, 金澤徹, 米内義晴, 加藤淳, 大澤一斗, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka.
英文:	Y. Miyamoto, T. Kanazawa, Y. Yonai, A. Kato, K. Ohsawa, M. Oda, T. Irisawa, T. Tezuka.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年12月6日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SICS 2013)

開催地

和文:
英文:	Arlington, VA