Analysis of effect of gate oxidation at SiC MOS interface on  threshold-voltage shift using deep-level transient spectroscopy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis of effect of gate oxidation at SiC MOS interface on threshold-voltage shift using deep-level transient spectroscopy

著者

和文:	長谷川淳一, M. Furuhashi, S. Nakata, 岩崎孝之, 小寺哲夫, T. Nishimura, 波多野睦子, M Noguchi.
英文:	J. Hasegawa, M. Furuhashi, S. Nakata, T. Iwasaki, T. Kodera, T. Nishimura, M. Hatano, M Noguchi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Jpn. J. Appl. Phys.

巻, 号, ページ

Vol. 54 pp. 04DP05

出版年月

2015年1月28日

出版者

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会議名称

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開催地

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DOI