1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおける ベース層構造の変更による発振特性の改善

論文・著書情報

タイトル

和文:	1.3μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザにおけるベース層構造の変更による発振特性の改善
英文:	Lasing Characteristics Improvement of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser by Changing The Base Layer Structure

著者

和文:	金子貴晃, 行成元志, 吉田匠, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Takaaki Kaneko, Masashi Yukinari, Takumi Yoshida, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年4月24日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	電子情報通信学会光エレクトロニクス（OPE）研究会 2014年度4月研究会
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開催地

和文:	静岡
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