ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善

論文・著書情報

タイトル

和文:	ベース層の広禁制帯幅化による1.3 µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性改善
英文:	Improved Lasing Characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser by Adopting Wider Bandgap Base Layer

著者

和文:	吉田匠, 行成元志, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Takumi Yoshida, Masashi Yukinari, Takaaki Kaneko, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

P03

出版年月

2014年1月30日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第3回IPDA研究会
英文:

開催地

和文:
英文: