Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Lasing characteristics of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser - dependence of the base layer structure

著者

和文:	吉田匠, 金子貴晃, 行成元志, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Takumi Yoshida, Takaaki Kaneko, Masashi Yukinari, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

Mo B2 1

出版年月

2014年5月12日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Compound Semiconductor Week 2014, 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials.

開催地

和文:
英文:	Montpellier