Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Gate Oxide Process at SiC-MOS Interface on Threshold Voltage Shift Analyzed by DLTS

著者

和文:	長谷川淳一, 小寺哲夫, 岩崎孝之, 波多野睦子.
英文:	J. Hasegawa, T. Kodera, T. Iwasaki, M. Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年12月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The Third International Education Forum on Environment and Energy Science

開催地

和文:
英文:	Perth