Substrate Noise Isolation Improvement by Helium-3 Irradiation Technique in a Triple-well CMOS Process

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Substrate Noise Isolation Improvement by Helium-3 Irradiation Technique in a Triple-well CMOS Process

著者

和文:	李寧, Takeshi Inoue, 平野拓一, Pang Jian, ｳｰﾙｲ, 岡田健一, Hitoshi Sakane, 松澤昭.
英文:	Ning Li, Takeshi Inoue, Takuichi Hirano, Jian Pang, Rui Wu, Kenichi Okada, Hitoshi Sakane, Akira Matsuzawa.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2015年9月17日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC)

開催地

和文:
英文:	Graz