薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する 1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性
英文:	Lasing Characteristics of 1.3-μm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laserwith Thinned p-GaInAsP Base Layer

著者

和文:	只野翔太郎, 吉田匠, 金子貴晃, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Shotaro Tadano, Takumi Yoshida, Takaaki Kaneko, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

No. 16p-2E-3

出版年月

2015年9月13日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第76回応用物理学会秋季学術講演会
英文:	The 76th JSAP Autumn Meeting

開催地

和文:	名古屋
英文: