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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Sequential write-read operations in FeRh antiferromagnetic memory
著者
和文:
T. Moriyama, N. Matsuzaki, K-J. Kim,
鈴木 一平
,
谷山 智康
, T. Ono.
英文:
T. Moriyama, N. Matsuzaki, K-J. Kim,
I. Suzuki
,
T. Taniyama
, T. Ono.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
Appl. Phys. Lett.
巻, 号, ページ
vol. 107 No. 12 pp. 122403 1-4
出版年月
2015年9月21日
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
開催地
和文:
英文:
DOI
https://doi.org/10.1063/1.4931567
©2007
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