960-mV Open-Circuit Voltage Chalcopyrite Solar Cell

Homare Hiroi; Yasuaki Iwata; Kyouhei Horiguchi; Hiroki Sugimoto

doi:10.1109/JPHOTOV.2015.2479470

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	960-mV Open-Circuit Voltage Chalcopyrite Solar Cell

著者

和文:	廣井誉, 岩田恭彰, 堀口恭平, 杉本広紀.
英文:	Homare Hiroi, Yasuaki Iwata, Kyouhei Horiguchi, Hiroki Sugimoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Journal of Photovoltaics

巻, 号, ページ

Volume 6 Page 309 - 312

出版年月

2015年10月8日

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

公式リンク

http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=7294625&searchWithin=%22Authors%22:.QT.H.%20Hiroi.QT.&newsearch=true

DOI

https://doi.org/10.1109/JPHOTOV.2015.2479470

アブストラクト

Open-circuit voltage (Voc) of 960 mV on chalcopyrite solar cell was achieved by pure-sulfide Cu(In,Ga)S2 solar cell. Generally, high-performance Cu(In,Ga)S2 needs KCN-etching treatment to remove CuS layer; however, we were able to fabricate it without KCN-etching treatment. Our champion puresulfide Cu(In,Ga)S2 cell demonstrated the efficiency of 14.0%. In this paper, the latest results for high-performance pure-sulfide Cu(In,Ga)S2 cells will be presented.

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