埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	埋め込みヘテロ構造を用いた1.3-µm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの特性評価
英文:	Characterization of 1.3-µm npn-AlGaInAs/InP Transistor Laser with Buried Heterostructure

著者

和文:	只野翔太郎, 金子貴晃, 山中健太郎, 西山伸彦, 荒井滋久.
英文:	Shotaro Tadano, Takaaki Kaneko, Kentarou Yamanaka, Nobuhiko Nishiyama, SHIGEHISA ARAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

LQE-5

出版年月

2016年1月28日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	電子情報通信学会光エレクトロニクス（OPE）研究会 2016年度1月研究会
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開催地

和文:	神戸
英文: