Effect of gate oxide process at SiC-MOS interface on threshold voltage shift analyzed by DLTS

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of gate oxide process at SiC-MOS interface on threshold voltage shift analyzed by DLTS

著者

和文:	長谷川淳一, M.Noguchi, M.Furuhashi, S. Nakata, 岩崎孝之, 小寺哲夫, T.Nishimura, 波多野睦子.
英文:	J. Hasegawa, M.Noguchi, M.Furuhashi, S. Nakata, T.Iwasaki, T.Kodera, T.Nishimura, M.Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2014年9月10日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	SSDM 2014

開催地

和文:
英文:	Tsukuba