ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付/SiO<sub>2</sub>/Si(001)基板上GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)

論文・著書情報

タイトル

和文:	ECR-MBE 法で作製したグラフェン単層膜付/SiO₂/Si(001)基板上GaN薄膜(t~250nm)成長におけるグラフェン単層膜の影響 (II)
英文:	Influence of mono-layer Graphene on growth process of GaN on mono-layer Graphene/SiOMsub>2-film/Si(001) substrate by ECR-MBE method (II)

著者

和文:	淀徳男, 楊楠, 石川智暁, 金子智, 塩尻大士, 松田晃史, 吉本護.
英文:	Tokuo Yodo, Nan Yang, Tomoaki Ishikawa, Satoru Kaneko, daishi shiojiri, Akifumi Matsuda, MAMORU YOSHIMOTO.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第75回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集
英文:	The 75th JSAP Autumn Meeting, 2014 Extended Abstracts

巻, 号, ページ

出版年月

2014年9月1日

出版者

和文:	公益社団法人応用物理学会
英文:	The Japan Society of Applied Physics

会議名称

和文:	第75回応用物理学会秋季学術講演会
英文:	The 75th JSAP Autumn Meeting, 2014

開催地

和文:	北海道札幌市
英文:	Sapporo City

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