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タイトル
和文:Relationship between source/drain-contact structures and switching characteristics in oxide-channel ferroelectric-gate thin-film transistors 
英文:Relationship between source/drain-contact structures and switching characteristics in oxide-channel ferroelectric-gate thin-film transistors 
著者
和文: Haga, Ken-ichi, Nakada, Yuuki, RICINSCHIDAN, Tokumitsu, Eisuke.  
英文: Haga, Ken-ichi, Nakada, Yuuki, Ricinschi Dan, Tokumitsu, Eisuke.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文:Japanese Journal of Applied Physics 
英文:Japanese Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 53    No. 9   
出版年月 2014年 
出版者
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会議名称
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開催地
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公式リンク http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000343068600008&KeyUID=WOS:000343068600008
 
DOI https://doi.org/10.7567/JJAP.53.09PA07

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