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タイトル
和文:Improved retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a post-oxygen-annealing treatment 
英文:Improved retention characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structure using a post-oxygen-annealing treatment 
著者
和文: Kodama, K, Takahashi, M, RICINSCHIDAN, Lerescu, AI, Noda, M, Okuyama, M.  
英文: Kodama, K, Takahashi, M, Ricinschi Dan, Lerescu, AI, Noda, M, Okuyama, M.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文:Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 
英文:Japanese Journal of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers 
巻, 号, ページ Vol. 41    No. 4B    pp. 2639-2644
出版年月 2002年 
出版者
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会議名称
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開催地
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公式リンク http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=ORCID&SrcApp=OrcidOrg&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=WOS:000175703200078&KeyUID=WOS:000175703200078
 
DOI https://doi.org/10.1143/JJAP.41.2639

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