Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain

著者

和文:	木下治紀, 木瀬信和, 行待篤志, 金澤徹, 宮本恭幸.
英文:	Haruki Kinoshita, Nobukazu Kise, Atsushi Yukimachi, Toru Kanazawa, Yasuyuki Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

TuD4-2

出版年月

2016年6月28日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	Compound Semiconductor Week (CSW2016)
英文:

開催地

和文:
英文:	Toyama